SiC気相成長高温CVD装置|CZ炉・高周波誘導加熱・ホットプレス・誘導加熱装置のことなら株式会社第一機電

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SiC気相成長高温CVD装置

SiC気相成長高温CVD装置

2ゾーン加熱方式採用、成長ガスを加熱して

安定的な温度勾配を実現

 

化合物用単結晶育成装置

概要

本装置は、ソレノイドコイルによる2ゾーン加熱方式を採用し、成長ガスと基板を別々に温度コントロールすることが可能です。

 

※その他、お客様のご要望により高温CVD装置を製作致します。

 

特長

  • 2ゾーンを採用しゾーンごとにパワー制御
  • 基板の超高速回転が可能

仕様

加熱方式

高周波誘導加熱方式 

サセプター加熱方式、及びカーボンガス導入方式

出力

50kW、2ゾーン         

加熱温度 最高2000℃、常用1800℃
雰囲気 多系統ガス使用
駆動部 サセプター回転機構、サセプター昇降機構
真空装置 ドライポンプ、ターボ分子ポンプ 

お問い合わせ

興味をお持ちの方・導入を検討している方、まずはお気軽にご連絡下さい。

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