液相エピタキシャル装置(LPE炉)|CZ炉・高周波誘導加熱・ホットプレス・誘導加熱装置のことなら株式会社第一機電

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液相エピタキシャル装置(LPE炉)

2重シャッターで均熱が取りやすい

 

化合物用単結晶育成装置

概要

LPE装置(Liquid Phase Epitaxial)は液相にて薄膜結晶を成長させる装置です。

3ゾーンヒーターにより最適な温度勾配を得ることが可能です。

特長

  • シャッターが2重になっており均熱が取りやすくなっております
  • フラックスを上部より排気出来ます
  • 高精度な基板昇降、回転駆動機構

仕様

加熱方式 抵抗加熱方式、3ゾーン
ヒーター カンタルスーパー、各種金属発熱体(Mo、W、Ni、Cr)
加熱温度

800~1300℃

均熱長

150mm±1℃(空炉)

昇降速度

高速5~200mm/min、低速0.5~20mm/h

回転速度

1~30rpm/min(CW、CCW)

お問い合わせ

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