化合物用単結晶育成装置

液相エピタキシャル装置(LPE炉)

2重シャッターで均熱が取りやすい

製品概要

LPE装置(Liquid Phase Epitaxial)は液相にて薄膜結晶を成長させる装置です。

3ゾーンヒーターにより最適な温度勾配を得ることが可能です。

特徴

  • シャッターが2重になっており均熱が取りやすくなっております
  • フラックスを上部より排気出来ます
  • 高精度な基板昇降、回転駆動機構

製品仕様

加熱方式抵抗加熱方式、3ゾーン
ヒーターカンタルスーパー、各種金属発熱体(Mo、W、Ni、Cr)
加熱温度800~1300℃
均熱長150mm±1℃(空炉)
昇降速度高速5~200mm/min、低速0.5~20mm/h
回転速度1~30rpm/min(CW、CCW)