会社沿革|高周波誘導加熱・高周波焼き入れ・誘導加熱装置のことなら株式会社第一機電

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会社沿革

1991年 資本金2,000万円にて設立
1992年 トランジスタインバータの製造開始。高能率、省スペース化を実現
1993年 高周波誘導加熱装置を利用した結晶育成装置及び工業炉を製造・販売を開始
1997年 1,100万円増資を行い資本金4,100万円となる
1998年 LT単結晶需要拡大に伴いCZ装置の量産体制を確立
2000年 追加増資を行ない資本金9,700万円とする
2002年 SiC単結晶育成装置など化合物半導体向け装置の販売を開始
CZ法によるSapphire単結晶育成装置の開発を開始
2004年 溶液成長法による開発用SiC単結晶育成装置を販売
SiCウエハー用急加熱急冷アニール装置の販売を開始
2005年 太陽電池用多結晶Si凝固育成装置の販売を開始
2006年 生産増強に伴い北茨城市に生産工場を新設し操業を開始
2007年 茨城第2工場を新設して多結晶Siインゴットの受託生産を開始
2010年 超大型サファイア単結晶引上げ装置の販売を開始
2013年 SiCモジュールを採用し、省スペース・省電力化を実現した、新型高周波電源の開発を開始
2014年 ハイブリッド型焼結装置の開発を開始
2015年 ハイブリッド型焼結装置MRSシリーズを開発、販売を開始
新型高周波電源HPI・MEIシリーズの販売を開始
2017年 小型ホットスタンピング装置の販売を開始

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