超高品質大型インゴット成長装置|高周波誘導加熱・高周波焼き入れ・誘導加熱装置のことなら株式会社第一機電

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超高品質大型インゴット成長装置

新技法(NOC、NOn-contact Crucible)により

大型で高品質なSi結晶の育成が可能

 

概要

本装置は、キャスト成長法、チョクラルスキー成長(CZ)法、キロプロス法の利点を取り入れた、高品質シリコン結晶を成長する為の機能を備え持つ結晶育成装置となります。シリコン融液内上部に低温領域を形成し、種結晶を用いてシリコン結晶を連続的に引き上げることでインゴットを成長させます。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

※本資料はJST FUTURE-PV Innovationプロジェクト様の資料より転用させて頂きました。

特長

  • カーボンホットゾーンでありながら、パーティクルが低減された炉内構造
  • CZ炉に比べてランニングコストが低減された省エネルギー構造
  • 遠隔操作機能により、別室からの育成操作が可能
  • シーディングが容易に行なえる特殊機構

仕様

結晶寸法 最大φ500×H400(mm)
結晶重量 最大100kg
加熱方式 2ゾーンカーボンヒーターによる抵抗加熱方式
加熱温度 最大1600℃、常用1550℃ 
炉内雰囲気 不活性ガスによる大気圧及び減圧雰囲気
ルツボ取り出し方法 チャンバー底面が昇降する下側取り出し機構

お問い合わせ

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