昇華法単結晶育成装置|高周波誘導加熱・通電加熱・抵抗加熱・高周波電源・ホットプレスのことなら

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昇華法単結晶育成装置

SiC、AlN単結晶の量産向け昇華法育成装置。ホットスタンプ 高温炉 大気炉 真空炉 溶解炉 熱処理炉 真空管式発振機 タングステンヒーター 真空炉 ビレットヒータ 金属加熱 高周波加熱 高周波溶解炉 ホットプレス ハイブリッド加熱 ホットスタンピング 高温炉 溶解炉 高周波溶解炉 通電焼結装置 真空管式発振機 マイクロPD(引下げ) 引下げ装置

SiCバルク育成に
数多くの実績を持つ量産装置

1torrからの微量な圧力制御

 

 

S278 / S380

概要

真空中または不活性ガス中で原料を加熱し昇華させ、種結晶に析出させる単結晶育成方法です。

特長

  • 超高温仕様に耐えるため、炉芯管に冷却式の2重石英管を採用
  • 最高2700℃での使用が可能です
  • コンピュータ制御により全自動制御が可能です
  • 1torrから大気圧までの幅広いレンジで微量な圧力制御が可能です。
  • 高真空対応
  • PC制御

 

応用例

SiC、AlN

SiC単結晶の写真。ホットスタンプ 高温炉 大気炉 真空炉 溶解炉 熱処理炉 真空管式発振機 タングステンヒーター 真空炉 ビレットヒータ 金属加熱 高周波加熱 高周波溶解炉 ホットプレス ハイブリッド加熱 ホットスタンピング 高温炉 溶解炉 高周波溶解炉 通電焼結装置 真空管式発振機 マイクロPD(引下げ) 引下げ装置

(写真はSiC単結晶です)

仕様

育成方法 昇華法
ターゲット結晶 2~8インチ、SiC単結晶
加熱方式 高周波誘導加熱方式
加熱温度 最高2500℃
圧力制御 10~100torr±1torr
チャンバー 水冷2重石英管
雰囲気 Ar・N2
真空排気装置 ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ

お問い合わせ

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