昇華法単結晶育成装置|CZ炉・高周波誘導加熱・ホットプレス・誘導加熱装置のことなら株式会社第一機電

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昇華法単結晶育成装置

昇華法SiC単結晶育成装置

SiCバルク育成に数多くの実績

1torrからの微量な圧力制御

SiCバルクの量産向け装置

S278 / S380

概要

真空中または不活性ガス中で原料を加熱し昇華させ、種結晶に析出させる単結晶育成方法です。

特長

  • 超高温仕様に耐えるため、炉芯管に冷却式の2重石英管を採用(特許出願中)
  • 最高2700℃での使用が可能です
  • コンピュータ制御により全自動制御が可能です
  • 1torrから大気圧までの幅広いレンジで微量な圧力制御が可能です。
  • 高真空対応
  • PC制御

 

応用例

SiC、AlN

test:

(写真はSiC単結晶です)

仕様

育成方法 昇華法
ターゲット結晶 2~8インチ、SiC単結晶
加熱方式 高周波誘導加熱方式
加熱温度 最高2500℃
圧力制御 10~100torr±1torr
チャンバー 水冷2重石英管
雰囲気 Ar・N2
真空排気装置 ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ

お問い合わせ

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