MSG結晶育成装置|CZ炉・高周波誘導加熱・ホットプレス・誘導加熱装置のことなら株式会社第一機電

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MSG結晶育成装置

MSG結晶育成装置

省エネ型サファイア結晶育成装置

抵抗加熱式結晶育成装置

MSG-30 / MSG-50 / MSG-100 

概要

従来のキロプロス(Kyropoulos)法に、CZ法で培った引上技術を追加し、大型の結晶を育成する装置です。
カーボンヒーターによる抵抗加熱方式を採用し、金属ヒーターに比べ電力コストと消耗品コストを大幅に低減することを可能としました。

 

 

 

応用例

サファイア単結晶 

仕様

加熱方式 2ゾーンカーボンヒーター抵抗加熱方式
加熱温度 最高2200℃
原料充填量 120kg
炉方式 真空水冷ジャケットチャンバー
ヒーター出力 メインヒーター100kW  ボトムヒーター50kW
制御方式 PLC制御(育成プログラム、炉内雰囲気)

お問い合わせ

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