SiC気相成長高温CVD装置|高周波誘導加熱・通電加熱・抵抗加熱・高周波電源・ホットプレスのことなら

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SiC気相成長高温CVD装置

ソレノイドコイルによる2ゾーン加熱方式を採用したSiC気相成長高温CVD装置です。ホットスタンプ 高温炉 大気炉 真空炉 溶解炉 熱処理炉 真空管式発振機 タングステンヒーター 真空炉 ビレットヒータ 金属加熱 高周波加熱 高周波溶解炉 ホットプレス ハイブリッド加熱 ホットスタンピング 高温炉 溶解炉 高周波溶解炉 通電焼結装置 真空管式発振機 マイクロPD(引下げ) 引下げ装置

2ゾーン加熱方式を採用、
成長ガスを加熱して
安定的な温度勾配を実現

 

 

 

化合物用単結晶育成装置

概要

本装置は、ソレノイドコイルによる2ゾーン加熱方式を採用し、成長ガスと基板を別々に温度コントロールすることが可能です。

 

※その他、お客様のご要望により高温CVD装置を製作致します。

 

特長

  • 2ゾーンを採用しゾーンごとにパワー制御
  • 基板の超高速回転が可能

仕様

加熱方式

高周波誘導加熱方式 

サセプター加熱方式、及びカーボンガス導入方式

出力

50kW、2ゾーン         

加熱温度 最高2000℃、常用1800℃
雰囲気 多系統ガス使用
駆動部 サセプター回転機構、サセプター昇降機構
真空装置 ドライポンプ、ターボ分子ポンプ 

お問い合わせ

興味をお持ちの方・導入を検討している方、まずはお気軽にご連絡下さい。

042-488-3312

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