SiC気相成長高温CVD装置
2ゾーン加熱方式を採用、
成長ガスを加熱して
安定的な温度勾配を実現
化合物用単結晶育成装置
概要
本装置は、ソレノイドコイルによる2ゾーン加熱方式を採用し、成長ガスと基板を別々に温度コントロールすることが可能です。
※その他、お客様のご要望により高温CVD装置を製作致します。
特長
- 2ゾーンを採用しゾーンごとにパワー制御
- 基板の超高速回転が可能
仕様
| 加熱方式 |
高周波誘導加熱方式 サセプター加熱方式、及びカーボンガス導入方式 |
|---|---|
| 出力 |
50kW、2ゾーン |
| 加熱温度 | 最高2000℃、常用1800℃ |
| 雰囲気 | 多系統ガス使用 |
| 駆動部 | サセプター回転機構、サセプター昇降機構 |
| 真空装置 | ドライポンプ、ターボ分子ポンプ |
