ブリッジマン装置|CZ炉・高周波誘導加熱・高周波焼き入れ・誘導加熱装置のことなら株式会社第一機電

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ブリッジマン装置

ブリッジマン単結晶育成装置 

生産に最適な結晶育成装置

 

抵抗加熱式結晶育成装置

概要

本装置は、原料をるつぼ中で溶解し、温度分布がある炉内を移動させ、一端より融液を順次固化させる装置です。

ブリッジマン(Bridgman)単結晶育成法は温度勾配を設けた炉内でるつぼを移動させ、一方向凝固により結晶を成長させる方法です。
ブリッジマン法には垂直ブリッジマン法(Vertical Bridgeman法)と水平ブリッジマン法(Horizontal Buridgeman法)があります。それぞれるつぼを移動させて温度勾配を作る方法とるつぼは固定しヒーター加熱温度を制御して温度勾配をつくる方法(VGF法、HGF法)が有ります。
ブリッジン法で育成する単結晶には、フェライト系、Sapphire、BGO、PM、LBO、BSO、LSO、CaF等があげられます。

 

応用例

 

 

 

 

 

 

 

フェライト系単結晶、圧電単結晶、GGG、LGS、Sapphire、YAG、NdYAG、YAP、NdYAP、YbLuAG、NdCrGSGG、BGO、PM、YVO、LBO、BSO、LSO、CaF等

仕様

加熱方式 抵抗加熱または高周波誘導加熱
熱源

ヒーター(カンタルA1、スーパーカンタル、白金、タングステンメッシュ、カーボン、ケラマックス、SiC、その他)
2または3ゾーン

加熱温度 500~3,000℃
雰囲気 大気・雰囲気・真空・加圧

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