溶液成長法単結晶育成装置|CZ炉・高周波誘導加熱・ホットプレス・誘導加熱装置のことなら株式会社第一機電

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溶液成長法単結晶育成装置

溶液成長法SiC単結晶育成装置

SiC・AlN単結晶を低温度域で育成

SiC・AlN単結晶の低電力育成

化合物用単結晶育成装置

概要

融液界面へシードをディッピングさせて、シード軸の駆動と抜熱効果を併せて、ルツボ駆動プロセスを併用し単結晶育成を可能とする装置です。
高周波誘導加熱の採用により、様々な温度プログラムに対して精密な出力及び温度制御が可能です。

特長

  • 設置場所に貢献する省スペース化を実現
  • 高周波誘導加熱を採用し低電力で育成が可能
  • 長時間育成でも安定した制御性が可能
  • ご要望により周波数切替式も可能

応用例

SiC(シリコンカーバイド)、AlN単結晶、遷移金属等

 

仕様

育成方法 溶液成長法
ターゲット結晶 2~4インチ、SiC・AlN単結晶
加熱方式 高周波誘導加熱
加熱温度 最高2100℃、常用2000℃

制御 

出力・温度制御切替式
制御方式 放射温度計温度制御/WRe熱電対温度制御/パワー制御

 駆動制御

ディピング治具駆動部、るつぼ軸駆動部、加熱コイル駆動部
チャンバー 水冷耐真空前開きチャンバー、φ740XH1000mm
雰囲気 大気・真空・不活性ガス(Ar・He・N2等)

発振機容量

60kW

 真空排気装置

ロータリーポンプ、油拡散ポンプ

お問い合わせ

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