高温急冷アニール装置(RTA炉)|CZ炉・高周波誘導加熱・ホットプレス・誘導加熱装置のことなら株式会社第一機電

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高温急冷アニール装置(RTA炉)

高温急冷アニール装置(RTA炉)

急加熱急冷却を実現したシャトル方式

特許出願中

SiCウエハーの熱処理は最大6インチ

RSA-04 / RSA-06

概要

RSA装置はイオン注入後の活性化を目的とした熱処理装置です。シャトル方式を採用し、高速昇温、高速急冷を可能にしました。
ウエハー台を多段に重ねることにより、多数枚同時処理が可能な量産装置も御座います。

 

株式会社イオンテクノセンター様では本製品を使用した、活性化アニール処理を受託で承っておられます。

 

※新技術の採用により多数枚同時処理が可能になりました(4インチウエハーの場合)。

特長

  • 急加熱急冷却装置のため、枚葉対応でもスループットは速くなります
  • 反応炉と冷却室が分かれている為、加熱部を常に高温かつ均一に保つことが可能(特許申請中)
  • 加熱部を常に高温に保っているため、ランニングコストが少なくなります
  • 高真空対応になっております。(ドライポンプ+ターボ分子ポンプ使用可能)
  • 最高2,000℃まで使用
  • 最大4インチで±10℃以下(1,500℃)の面内温度分布を実現

仕様

処理可能寸法 4~6インチウエハー
加熱温度 1900℃(ヒーター部は最高2000℃)
処理時間 20min/枚
真空度 10Pa、オプション仕様は10-3Pa

お問い合わせ

興味をお持ちの方・導入を検討している方、まずはお気軽にご連絡下さい。

042-488-3312

電話受付時間9:00~17:30

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